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三星表示，它已經(jīng)通過啟動12納米工藝的16Gb DDR5 DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)重申了其在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。這家韓國電子巨頭聲稱，與上一代產(chǎn)品相比，這種新工藝生產(chǎn)的內(nèi)存IC可降低約四分之一的功耗，并將提高五分之一的晶圓生產(chǎn)力。此外，這些領(lǐng)先的內(nèi)存芯片將擁有7.2Gbps的最大引腳速度。

三星 SAMSUNG 臺式機內(nèi)存條 16G DDR5 4800頻率

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三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee在討論這一制造里程碑時說："利用差異化的工藝技術(shù)，三星行業(yè)領(lǐng)先的12納米級DDR5 DRAM具有出色的性能和電源效率"。然而，PC用戶將不得不等待涓涓細流，因為這些12納米DDR5集成電路的首次使用將是在數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計算等應(yīng)用領(lǐng)域。

三星表示，12納米級DRAM的開發(fā)是通過 "使用一種新的高K材料 "實現(xiàn)的。在進一步的細節(jié)中，它解釋說，這些集成電路中使用的晶體管柵極材料具有更高的電容，使其狀態(tài)更容易被準(zhǔn)確區(qū)分。此外，三星在降低工作電壓和減少噪音方面的努力也有助于提供這種優(yōu)化的解決方案。

這些仍然是16Gb的IC，所以三星并沒有通過這些DRAM芯片在其密度路線圖上走得更遠。相反，所預(yù)示的好處涉及電源效率、速度和晶圓經(jīng)濟。如果你想要一些數(shù)字，三星指出，12納米DDR5集成電路與前一代相比，功耗降低了23%，晶圓生產(chǎn)力提高了20%。

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