從本月開始,PCIe 5.0 SSD固態盤將會陸續上市,對于用戶而言,完全可以在等等看,因為廠商日子難過,會帶來更多新技術和新優惠。

現在,三星宣布開始大規模生產236層3D NAND閃存芯片,并將其命名為第8代V-NAND,方案能帶來2400MTps 的傳輸速度(對應的SSD傳輸速度輕松超過12GBps)。
得益于存儲容量更大。V-NAND V8閃存的厚度依然可以控制在合理水平,封裝512GB容量也不超過0.8mm,可以用于新一代智能手機。
按照三星的表述,與現有相同容量的閃存芯片相比,新一代3D NAND可提高提高20%的單晶生產率,從而進一步降低了成本,這可能意味著大家有望買到同容量更便宜的固態硬盤。
在未來,三星的V-NAND閃存堆棧層數還會進一步提升,路線圖中的目標是超過500層,這被視為3D閃存的極限,不過三星還在想法突破,最終能制造1000層堆棧的3D閃存。
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