10月12日消息，據國外媒體報道，今日，存儲芯片制造商三星電子宣布，它已開始使用極紫外光刻(EUV)技術量產業界最小的14納米DRAM芯片。

三星電子表示，EUV技術減少了多圖案繪制中的重復步驟，提高了圖案繪制的準確性，從而提高了性能和產量，縮短了開發時間。

利用最新的DDR5標準，三星14納米DRAM將幫助解鎖前所未有的高達7.2Gbps的速度，這是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。

該公司表示，即將開始量產DDR5，并預計最新工藝將使生產率提高20%，功耗降低近20%。

據悉，三星是全球最大的存儲芯片和智能手機制造商之一。在近日舉辦的晶圓代工論壇上，該公司宣布，將從2025年開始量產2nm芯片，并計劃從2022年上半年開始生產客戶設計的3nm芯片，第二代3nm芯片預計將在2023年生產。（作者 小狐貍）