SK海力士宣布了其HBM3內存的增強版，將數據傳輸率提高了25%，因此為使用這種優質類型DRAM的應用提供了相當大的性能提升。為人工智能（AI）和高性能計算（HPC）開發解決方案的公司將歡迎HBM3E在2024年上市。

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SK海力士的HBM3E內存將把數據傳輸率從今天的6.40 GT/s提高到8.0 GT/s，這將使每堆帶寬從819.2 GB/s提高到1 TB/s。HBM3E與現有HBM3控制器和接口的兼容性仍不清楚，因為SK海力士還沒有透露這方面的技術細節。

SK Hynix計劃在2023年下半年開始對其HBM3E存儲器進行采樣，并在2024年開始大規模生產。該公司將使用其1b納米制造技術（該公司第五代10納米級的DRAM節點）來生產其HBM3E存儲器。該生產節點目前用于制造DDR5-6400 DRAM，這些DRAM被驗證用于英特爾的下一代至強可擴展平臺。最終，它還將用于生產LPDDR5T內存芯片，用于性能要求高的低功耗應用。

"在人們對內存市場將從下半年開始復蘇的期望越來越高的情況下，我們相信我們業界領先的DRAM技術，通過這次1bnm工藝的大規模生產再次得到驗證，將幫助我們從下半年開始提高收益，"SK海力士的DRAM開發主管Jonghwan Kim說。

假設SK海力士的HBM3E內存開發和量產取得預期進展，SK海力士將擁有一份渴望采購快速HBM3E內存的買家名單，用于他們的下一代AI和HPC解決方案。同時，根據TrendForce的數據，SK海力士已經是最大的HBM供應商，如果它成為優質HBM3E內存的第一個供應商，將可能加強其地位。

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