NEO 半導體宣布將推出全球首款 3D DRAM 原型,解決 DRAM 容量瓶頸。
3D DRAM 用到的是 3D X-DRAM 技術,原理與 3D NAND Flash 類似,通過堆疊層數提高容量。
NEO 承諾 2025 年將推出第一代 3D X-DRAM 產品,首代產品就有 230 層堆疊,核心容量 128GB。
(資料圖片僅供參考)
更夸張的是,到 2035 年,NEO 將推出 1TB 容量的 3D X-DRAM,較現在 DRAM 容量提升達 64 倍。
NEO 表示,未來內存大小不僅可以從 TB 為單位起步,甚至能追上 3D NAND Flash 的發展。
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