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近日，在Intel今天發布的二季度財報的數據中不難發現，營收及盈利都各種下滑，但在先進工藝上Intel又宣布了一系列新進展，20A、18A會提前量產。

Intel 20A及18A工藝，這兩個工藝是首次進入埃米節點，可以看作友商的2nm、1.8nm級別，其中20A在前代Intel 3基礎上實現每瓦性能上實現約15%的提升，18A在20A基礎上再實現每瓦性能約10%的提升，可謂是質的飛躍。

這兩代工藝還會首發兩大突破性技術，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，占用的空間更小，可謂是方便便捷。PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。

回看過去，從去年的12代酷睿開始，Intel就量產了Intel 7工藝，并根據官方數據表明，Intel 7工藝生產的處理器已經出貨超過3500萬，而這是Intel工藝更名之后的首款新工藝，也是未來4年要掌握的5代CPU工藝的起點，分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A工藝。其中的Intel 7是目前的主力，除了12代酷睿首發之外，年底的13代酷睿、服務器級的sapphire rapids都是Intel 7工藝。

而做為Intel首個EUV工藝的Intel 4工藝，其晶體管的每瓦性能將提高約20%，首發Intel 4工藝的是14代酷睿Meteor Lake系列，明年上市，最快的話就是上半年發布。并且Intel表示該工藝將在今年下半年準備就緒，即將量產。Intel未來提供代工的主力-Intel 3工藝，據可靠消息會在Intel 4基礎上再次實現每瓦性能上實現約18%的提升。

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